The Novel Synthesis of Silicon and Germanium Nanocrystallites

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

wuthering heights and the concept of marality/a sociological study of the novel

to discuss my point, i have collected quite a number of articles, anthologies, and books about "wuthering heights" applying various ideas and theories to this fantastic story. hence, i have come to believe that gadamer and jauss are rightful when they claim that "the individaul human mind is the center and origin of all meaning," 3 that reading literature is a reader-oriented activity, that it ...

15 صفحه اول

extraction and characterization of allium irancum plant extract and its application in the green synthesis of silver nano particles and oxidation of thiocarbony1 compounds

سنتز سبز نانوذرات فلزی (nps) درسالهای اخیر توجه بسیارزیادی را به خود جلب کرده است. زیرا این پروتوکل کم هزینه وسازگار با محیط زیست از روش های استاندارد سنتز. در این پایان نامه ما گزارش میکنیم یک روش ساده و سازگار با محیط زیست برای سنتز نانوذرات نقره با استفاده از محلول آبی عصاره گیاه allium iranicum به عنوان یک عامل کاهش دهنده ی طبیعی. نانو ذرات نقره مشخص شد با استفاده از تکنیک های uv-visible، x...

Colloidal synthesis of germanium nanocrystals

In this study, colloidal germanium nanocrystals were synthesized by a simple and novel method, and their optical properties were also studied. Polyvinyl alcohol (PVA) as a surface modifier was used to control the optical properties of colloidal Ge nanocrystals. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) analysis was performed to identify the various functional groups present in the sample. ...

متن کامل

Germanium epitaxy on silicon

With the rapid development of on-chip optical interconnects and optical computing in the past decade, silicon-based integrated devices for monolithic and hybrid optoelectronic integration have attracted wide attention. Due to its narrow pseudo-direct gap behavior and compatibility with Si technology, epitaxial Ge-on-Si has become a significant material for optoelectronic device applications. In...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: MRS Proceedings

سال: 2000

ISSN: 0272-9172,1946-4274

DOI: 10.1557/proc-638-f6.5.1